Основна памет. Организация

Основна памет. Организация на паметта – виртуална памет, сегментация, странично управление на паметта.

1. Основна памет. Структура.

Пълната памет на една компютърна система (КС) се нарича системна или компютърна памет. Тази памет обединява всички видове запаметяващи устройства, използвани в дадена КС за съхраняване на цялата й необходима информация. Съхраняването на този голям обем от информационни ресурси се извършва в различни по тип и предназначение памети, които имат следните функционални характеристики:

  • Бързодействие: Тази характеристика включва времето за достъп до мястото на съхраняване, времето за осъществяване на зададената операция.
  • Капацитет: Това е максималният брой информационни единици, които могат да се съхраняват в дадена памет. Прието е измерването да става в основната адресируема единица - байт и неговите производни: kB, MB, GB, TB (терабайт, EB (екзабайт) или в основната организационна единица - дума (W);
  • Плътност: Това е количеството информация, която може да се запише на единица площ или обем от паметта. Тази характеристика изразява технологичната страна на процеса на записване и възможностите за съхраняване на повече информация върху по-малка площ от запаметяващата среда;
  • Метод за достъп: Тази характеристика на паметта представя начина, по който се осъществява достигане до мястото на съхраняване на дадена информация в конкретната памет.В зависимост от конкретните параметри на тези основни характеристики, различните памети намират своето място в общата системна памет, като се оформят йерархични нива. Въвеждането на йерархия в компютърната памет е свързано с отношението на ЦП към нея, както и с организацията на процесорния достъп до информацията.

Основна - първична памет: Това е паметта, с която процесорът може да работи директно. Тази памет служи за съхраняване на всички изпълнявани в дадения момент от КС програми, обработваните от тези програми данни и необходимите за управление на използваните изчислителни процеси системни програми и микропрограмно осигуряване.

Допълнителна - вторична памет: Това е паметта, която съдържа голям обем информация, но за нейното използване (на необходимата в конкретния случай информация) от ЦП е необходимо тази информация да бъде прехвърлена в основната памет.

SRAM - Static Random Access Memory: статична памет с произволен достъп за запис и четене. Това е полупроводникова памет, изградена с основна клетка памет - тригер. Използва се в свръхбързодействащи буферни памети - Cache-памети, като част от ОП на КС;

DRAM - Dynamic Random Access Memory: динамична памет с произволен достъп за запис/четене. Това също е полупроводникова памет. Тази памет е изградено с основна клетка памет - кондензатор, реализиран технологично като p-n преход или полупроводников MOS слой. Използва се в свръхбързодействащата Cache-памет на ЦП, а също така като основна част от неговата ОП;

ROM - Read-Only Memory: памет само четене. Това също е полупроводникова памет. Използва се за постоянна памет -ПП на ЦП. За разлика от RAM, тези памети са енергонезависими и са удобни за трайно съхраняване на управляващи програми и микропрограми. Постоянните памети се изграждат от интегрални схеми (ИС) тип ROM. Всяка ИС притежава адресни входове Аi, чрез които се задава адрес за прочитане на група от "n" бита и информационни изходи Di за прочетените данни. Съществуват следните разновидности ROM:

EPROM - Erasable Programmable ROM разновидност на памет тип ROM: изтриваема програмируема памет само четене. Изтриването на записаната върху нея информация се извършва чрез осветяване на полупроводниковия кристал с ултравиолетова светлина, след което електрически се записва новата информация в специално устройство - програматор, включено към един от стандартните интерфейси на КС;

EEPROM - Electrically Erasable Programmable ROM: електрически изтриваема и програмируема полупроводникова памет;

FLASH (Флаш) - памет: Това е разновидност на енергонезависима препрограмируема памет тип EEPROM.




Коментари: